近日，韩国知识产权部下属的半导体审查推进组发布《半导体领域专利审查实务指南》。该指南旨在明确半导体领域专利审查的判断标准，帮助韩国企业在激烈的全球半导体技术竞争中更早获得高价值专利。

近年来，随着极紫外光刻工艺（EUV）、非晶碳硬掩膜、高带宽存储器（HBM）以及新一代AI半导体（NPU、PIM）等技术的快速发展，半导体产业正加速向微细化、集成化和高速化演进。业界普遍认为，专利审查有必要更加充分地体现半导体产业的技术特点，并进一步明确专利性判断标准。为此，韩国知识产权部在听取产业界意见的基础上，从既有审查案例中筛选出高频典型案例，并按专利性判断条款和类型进行分类整理，编制形成该指南。

该指南围绕三项核心内容明确了专利性的判断标准：

（1）说明书，即关于发明可实施性等方面的判断方法；

（2）权利要求书，即关于权利要求表述不明确等情形的判断方法；

（3）创造性等专利判断要素，即关于与现有技术结合的可行性以及是否属于简单外观设计变更等情形的判断方法。

此外，该指南还对半导体领域常见的“方法限定的产品权利要求（Product by Process）”的专利性判断方式进行了说明。例如，若某一发明仅依据说明书内容，结合现有半导体相关论文仍无法实现权利要求所述技术方案，则可能被认定为不符合可实施性要求；在创造性判断方面，若现有技术仅以较为概括的上位概念进行描述，未给出具体结构及其技术效果，一般难以据此否定发明的创造性。

韩国知识产权部表示，该指南的发布将有助于提升专利审查的一致性，帮助韩国半导体企业获得更多高质量专利。同时，对于缺乏知识产权战略制定能力的无晶圆厂企业（Fabless）以及材料、零部件和设备领域的中小型和中坚企业而言，该指南也可作为编写高价值专利说明书的重要参考。

原标题：韩国知识产权部发布半导体领域专利审查实务指南

来源：中国科学院知识产权信息，编译：陈柳，来源：https://www.kipo.go.kr/ko/kpoBultnDetail.do?menuCd=SCD0200618&ntatcSeq=20804&sysCd=SCD02&aprchId=BUT0000029